TMDs 展現出奇特的光物理特性,包括強烈的激子效應、與層數相關的能帶結構以及自旋 - 谷耦合,這些特性使其在光電子、谷電子學和量子光子學研究領域具有高度相關性。
為了充分理解這些原子級薄材料中激子、三離子和缺陷的行為,精確的時間分辨光譜表征至關重要。
用于 TMD 研究的工具和系統
以下是我們的系統在典型 TMD 研究應用中的不同配置情況:
-MicroTime 100(BXFM機身) > 用于空間分辨的 TRPL 和 FLIM(時間分辨光致發光和熒光壽命成像)
- MicroTime 100 (BXFM 機身) > 用于單點壽命測量
- MicroTime 100 (BXFM 機身) > 用于薄膜表征
- MicroTime 100 (BXFM 機身) + FluoTime 300 > 用于對局部特征或薄片進行微區光致發光(Micro-PL)分析
使用共聚焦 TRPL 和激子擴散評估 TMDs 的化學處理
Zhaojun Li 及其同事致力于基于半導體過渡金屬二硫化物(TMDs)的二維材料,以制造高性能光電子器件。某些化學處理方法比其他方法更能提高這些材料的光致發光(PL)產率,但至今原因不明。
為揭示經 H-TFSI 處理過的單層 MoS2樣品和 Li-TFSI 處理過的單層 MoS2樣品的光致發光增強機制,研究小組使用配備 405 nm 脈沖激光器的時間分辨共聚焦顯微鏡等技術進行了共聚焦 TRPL 實驗。
他們觀察到,隨著 PL 強度增加,壽命縮短,表明化學處理后輻射復合速率提高。經 Li-TFSI 和 H-TFSI 處理后,衰減動力學差異顯著。
此外,通過激發中心點然后對周圍區域成像,利用共聚焦 TRPL 可觀察到激子傳輸情況。從歸一化 PL 強度空間 profile 在數納秒內的展寬,可得到激子擴散系數。結果表明,激子在經 Li-TFSI 處理的樣品中傳輸效率更高。
如需進一步了解,請參閱《Nature Communications 》(2021 年)論文:《Mechanistic insight into the chemical treatments of monolayer transition metal disulfides for photoluminescence enhancement》。
對 TMD 單層進行 SHG、TRPL 和 TPE-TRPL 成像
過渡金屬二硫族化合物(TMDs)的二維單層具有有趣的電光特性,適用于各種應用,例如用于可穿戴電子設備的柔性電極。
在此,通過單一顯微鏡——MicroTime 100 時間分辨共聚焦顯微鏡,采用幾種互補技術,即反射成像、二次諧波(SHG)成像、時間分辨光致發光(TRPL)成像以及雙光子激發(TPE)成像,對位于聚二甲基硅氧烷(PDMS)上的二維單層二硫化鉬(MoS₂)和二硒化鎢(WSe₂)進行了成像。借助這些技術,能夠對材料的光學特性進行局部表征,從而獲得全面的理解。
MicroTime 100 配備了 640 nm 脈沖激光器(LDH-P-C-640B)用于 TRPL 成像,配備 1064 nm 脈沖激光器(VisIR 1064)用于 SHG 成像以及雙光子激發 TRPL 成像,此外還配有用于反射成像的相機。
感謝加州大學歐文分校的 Jin Myung Kim 提供樣品。
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